СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
0

Режим работы:

с 8:00 до 17:00

(по Московскому времени)

0

IGBT модули

В корзину Перейти в корзину
Товар добавлен в избранное Товар удалён из избранного

IGBT MIXM-HB33SG-450N-A

IGBT модули

UCES [В]: 3300
ICnom [A]: 450
Технология кристалла: Trench-FS
Конфигурация: Два ключа
Исполнение: Промышленное
Корпус
(ширина/длина) [мм]:
MIXM (100/140)
Подтверждение производства на территории РФ (719ПП): Внесен в реестр
Рекомендуемые драйверы:IGBT-драйвер DI216-33-O-1

Отправить запрос в 1 кликЗадать вопрос

  • Документы и сертификаты
  • Описание

    Промышленный IGBT модуль MIXM-HB33SG-450N-A производства АО «Протон-Электротекс» — силовой полупроводниковый прибор для коммутации нагрузок в высоковольтных преобразователях и приводах. Блокирующее напряжение 3300 В, номинальный ток 450 А, конфигурация — полумост (Half Bridge): два IGBT-ключа с антипараллельными диодами в одном корпусе.

    Модуль выполнен в стандартизированном корпусе MIXM (100 × 140 мм) — форм-факторе типа EconoDUAL, обеспечивающем совместимость с широко распространёнными промышленными решениями. Низкоиндуктивная конструкция корпуса минимизирует перенапряжения при коммутации и позволяет снизить требования к снабберным цепям.

    Применение AlSiC-основания и AlN DBC-подложек обеспечивает эффективный отвод тепла и улучшенную термоциклостойкость. Технология кристалла Trench-FS гарантирует низкие статические и динамические потери, а максимальная температура кристалла Tjmax = 175 °C повышает нагрузочную способность и расширяет допустимый диапазон рабочих режимов.

    Ключевые особенности:

    • полумостовая конфигурация (Half Bridge) для построения двух- и трёхуровневых преобразователей;
    • стандартизированный корпус типа EconoDUAL (100 × 140 мм);
    • низкоиндуктивная конструкция;
    • Tjmax = 175 °C — повышенная нагрузочная способность по току;
    • AlSiC-основание для улучшенной термоциклостойкости;
    • AlN DBC-подложки с высокой теплопроводностью;
    • соответствие RoHS.

    Модуль MIXM-HB33SG-450N-A является функциональным аналогом IGBT-модулей: Infineon FF450R33T3E3 / FF450R33T3E3BPSA1 (XHP3, IGBT3, 3300 В, 450 А, half bridge, 100 × 140 мм, изоляция 6 кВ — точное совпадение по параметрам и габаритам), Mitsubishi CM450DA-66X (3300 В, 450 А, half bridge, 100 × 140 мм, изоляция 6 кВ), Hitachi/ABB MBM450FS33F (3300 В, 450 А, half bridge, изоляция 6 кВ, AlSiC, встроенный NTC), JBY TG450HF33X1 (3300 В, 450 А, half bridge, AlSiC, изоляция 10,2 кВ, 144 × 100 мм). Ближайшие по току: Mitsubishi CM400DY-66H (3300 В, 400 А, half bridge), CRRC TIM500GDM33-PSA011 (3300 В, 500 А).

    Производство сертифицировано по стандартам ISO 9001, ISO 14001, EcoVadis. АО «Протон-Электротекс» предлагает возможности кастомизации продукции под индивидуальные требования заказчика.

  • Где применяются

    IGBT модуль MIXM-HB33SG-450N-A предназначен для коммутации нагрузок в составе высоковольтных промышленных преобразователей и приводов.

    Основные сферы применения:

    • приводы двигателей переменного тока;
    • инверторы напряжения для солнечных панелей;
    • преобразователи высокой мощности и источники бесперебойного питания (ИБП);
    • инверторы ветрогенераторов;
    • двухуровневые и трёхуровневые топологии преобразователей.

Вернуться назад

АО «Протон-Электротекс»

Адрес: Россия, 302040, г. Орел, ул. Лескова 19, пом.27, оф. 14

Отправить заявкуОтправить заявку
Задать вопросЗадать вопрос
Оставить отзывОставить отзыв