СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
0

Режим работы:

с 8:00 до 17:00

(по Московскому времени)

0

IGBT модули 

IGBT модули в промышленном исполнении на средние частоты от производителя в России.

В данном разделе Вы можете ознакомиться со списком IGBT модулей производства АО «Протон-Электротекс», их характеристиками, особенностями и преимуществами. Заказать IGBT модули можно с помощью специальной формы на сайте и в карточках каждого товара.

Об особенностях производства IGBT модулей можно ознакомиться в соответствующем разделе.

Наименование
прибора
Статус прибора
UCES [В]
ICnom [A]
Технология кристалла
Конфигурация
Исполнение
Корпус
(ширина/длина) [мм]
фильтр фильтр фильтр фильтр фильтр фильтр фильтр
IGBT MIAA-HB12SA-300N Товар добавлен в избранное Статус прибора: Действующий UCES [В]:1200 ICnom [A]:300 Технология кристалла:Trench-FS Конфигурация:Half-Bridge Исполнение:Промышленное Корпус
(ширина/длина) [мм]:
MIAA (61.4/106.4)
Перейти в корзину
IGBT MIAA-HB12SA-450N Товар добавлен в избранное Статус прибора: Действующий UCES [В]:1200 ICnom [A]:450 Технология кристалла:Trench-FS Конфигурация:Half-Bridge Исполнение:Промышленное Корпус
(ширина/длина) [мм]:
MIAA (61.4/106.4)
Перейти в корзину
IGBT MIAA-HB17SA-150N Товар добавлен в избранное Статус прибора: Скоро в продаже UCES [В]:1700 ICnom [A]:150 Технология кристалла:Trench-FS Конфигурация:Half-Bridge Исполнение:Промышленное Корпус
(ширина/длина) [мм]:
MIAA (61.4/106.4)
Перейти в корзину
IGBT MIAA-HB17SA-200N Товар добавлен в избранное Статус прибора: Скоро в продаже UCES [В]:1700 ICnom [A]:200 Технология кристалла:Trench-FS Конфигурация:Half-Bridge Исполнение:Промышленное Корпус
(ширина/длина) [мм]:
MIAA (61.4/106.4)
Перейти в корзину
IGBT MIAA-HB17SA-300N Товар добавлен в избранное Статус прибора: Скоро в продаже UCES [В]:1700 ICnom [A]:300 Технология кристалла:Trench-FS Конфигурация:Half-Bridge Исполнение:Промышленное Корпус
(ширина/длина) [мм]:
MIAA (61.4/106.4)
Перейти в корзину
IGBT MIDA-HB12SA-450N Товар добавлен в избранное Статус прибора: Скоро в продаже UCES [В]:1200 ICnom [A]:450 Технология кристалла:Trench-FS Конфигурация:Half-Bridge Исполнение:Промышленное Корпус
(ширина/длина) [мм]:
MIDA (62/152)
Перейти в корзину
IGBT MIDA-HB17SA-450N Товар добавлен в избранное Статус прибора: Скоро в продаже UCES [В]:1700 ICnom [A]:450 Технология кристалла:Trench-FS Конфигурация:Half-Bridge Исполнение:Промышленное Корпус
(ширина/длина) [мм]:
MIDA (62/152)
Перейти в корзину
IGBT MIFA-HB12SA-100N Товар добавлен в избранное Статус прибора: Скоро в продаже UCES [В]:1200 ICnom [A]:100 Технология кристалла:Trench-FS Конфигурация:Half-Bridge Исполнение:Промышленное Корпус
(ширина/длина) [мм]:
MIFA (34/94)
Перейти в корзину
IGBT MIFA-HB12SA-150N Товар добавлен в избранное Статус прибора: Скоро в продаже UCES [В]:1200 ICnom [A]:150 Технология кристалла:Trench-FS Конфигурация:Half-Bridge Исполнение:Промышленное Корпус
(ширина/длина) [мм]:
MIFA (34/94)
Перейти в корзину
IGBT MIFA-HB17SA-075N Товар добавлен в избранное Статус прибора: Скоро в продаже UCES [В]:1700 ICnom [A]:75 Технология кристалла:Trench-FS Конфигурация:Half-Bridge Исполнение:Промышленное Корпус
(ширина/длина) [мм]:
MIFA (34/94)
Перейти в корзину
IGBT MIFA-HB17SA-100N Товар добавлен в избранное Статус прибора: Скоро в продаже UCES [В]:1700 ICnom [A]:100 Технология кристалла:Trench-FS Конфигурация:Half-Bridge Исполнение:Промышленное Корпус
(ширина/длина) [мм]:
MIFA (34/94)
Перейти в корзину
IGBT MIHM-SS17CA-2400N Товар добавлен в избранное Статус прибора: Скоро в продаже UCES [В]:1700 ICnom [A]:2400 Технология кристалла:Trench-FS Конфигурация:Single Switch Исполнение:Транспортное Корпус
(ширина/длина) [мм]:
MIHM (140*190)
Перейти в корзину
IGBT MIHM-SS33CA-1500N Товар добавлен в избранное Статус прибора: Скоро в продаже UCES [В]:3300 ICnom [A]:1500 Технология кристалла:Trench-FS Конфигурация:Single Switch Исполнение:Транспортное Корпус
(ширина/длина) [мм]:
MIHM (140*190)
Перейти в корзину
IGBT MIHV-SS45CA-1200N Товар добавлен в избранное Статус прибора: Скоро в продаже UCES [В]:4500 ICnom [A]:1200 Технология кристалла:Trench-FS Конфигурация:Single Switch Исполнение:Транспортное Корпус
(ширина/длина) [мм]:
MIHM (140*190)
Перейти в корзину
IGBT MIHV-SS65CA-750N Товар добавлен в избранное Статус прибора: Скоро в продаже UCES [В]:6500 ICnom [A]:750 Технология кристалла:Trench-FS Конфигурация:Single Switch Исполнение:Транспортное Корпус
(ширина/длина) [мм]:
MIHM (140*190)
Перейти в корзину
IGBT MISM-DS17CA-1200N Товар добавлен в избранное Статус прибора: Скоро в продаже UCES [В]:1700 ICnom [A]:1200 Технология кристалла:Trench-FS Конфигурация:Double Switch Исполнение:Транспортное Корпус
(ширина/длина) [мм]:
MISM (140*130)
Перейти в корзину

Пример маркировки:

MIAA -  HB 12  FA   200
1    2  4  

    1.Исполнение:

MIAA – корпус 62 мм

MIFA – корпус 34 мм

MIDA - корпус 62 мм

MIHM - корпус 140 мм

MISM - корпус 140 мм


    2. Схема включения:
HB – полумост

HC – верхний чоппер

LC – нижний чоппер   

DS - 2 ключа

    3. Класс модуля по максимально допустимому напряжению коллектор-эмиттер:
    12 – 1200 (В); 17 – 1700 (В)

    4. Модификация чипов IGBT, включая технологию изготовления кристаллов

    5. Номинальный ток модуля

    6. Климатическое исполнение

Технологическая линия производства IGBT модулей

Рекомендации по применению IGBT модулей производства АО "Протон-Электротекс"

АО «Протон-Электротекс»

Адрес: Россия, 302040, г. Орел, ул. Лескова 19, пом.27, оф. 14

Отправить заявкуОтправить заявку
Задать вопросЗадать вопрос
Оставить отзывОставить отзыв