Статьи
-
Архитектура современного драйвера силовых IGBT ключей
24 Января 2025
В статье рассмотрены основные параметры драйверов IGBT. Приведены критерии для выбора драйвера. Рассмотрены схемы управления затвором. Определены основные и расширенные защитные функции и возможные способы их реализации. Рассмотрены единичные драйверы и драйверы для управления параллельного включенных IGBT. Приведены особенности построения параллельного драйвера.
-
Современные технические решения в конструкции IGBT модулей высокой мощности
24 Января 2025
В статье рассмотрены современные подходы к конструированию силовых полупроводниковых модулей. На примере приборов с основанием 140мм и модулей MIXM и MIXV АО «Протон-Электротекс» показано, как конструкция модулей развивалась по пути снижения индуктивности силовых цепей и оптимизации компоновки внешних соединений.
В статье рассмотрены дальнейшие возможные пути развития конструкции IGBT модулей, включающие в себя кардинальную модернизацию структуры теплоотвода, а также использование кристаллов с возможностью контроля температуры и мгновенных значений тока в реальном времени
-
Влияние профиля легирования на динамические характеристики силовых низкочастотных диодов
24 Декабря 2024
Методами приборно-технологического компьютерного моделирования изучена зависимость динамических характеристик силовых низкочастотных диодов от технологических режимов и параметров диффузионных процессов при изготовлении.
Рассмотрены параметры обратного восстановления блокирующей способности силовых низкочастотных диодов при разных температурах в зависимости от профиля легирования. Результаты демонстрируют, как различные параметры и режимы диффузионных процессов оказывают влияние на процесс обратного восстановления силового низкочастотного диода.
-
Периодизация процесса обратного восстановления силового p-i-n-диода в цепи с индуктивной нагрузкой
24 Декабря 2024
Путём компьютерного моделирования технологических процессов создан цифровой двойник высоковольтного низкочастотного p-i-n-диода D053-7100, выпускаемого АО «Протон-Электротекс» (г. Орёл, Россия).
Методами имитационного моделирования этого диода изучен процесс его обратного восстановления в цепи с индуктивной нагрузкой. Рассмотрены основные этапы этого процесса, прослежена связь этих этапов с изменениями в распределении инжектированных носителей заряда в базе диод
-
24 Декабря 2024
Методами компьютерного моделирования технологических процессов создан цифровой двойник высоковольтного низкочастотного p-i-n-диода D053-7100, выпускаемого АО «Протон-Электротекс» (г. Орёл, Россия). Путём имитационного моделирования этого диода изучена зависимость его параметров обратного восстановления от силы прямого тока и скорости его спада в цепи с индуктивной нагрузкой.
-
18 Декабря 2024
В данной статье приведён обзор текущей номенклатуры силовых полупроводниковых приборов, выпускаемых компанией АО «Протон-Электротекс, а так же показано развитие силовых тиристоров и диодов в таблеточном и модульном исполнении, обусловленное растущими потребностями мирового рынка полупроводников.
-
9 Ноября 2021
В 2021 году АО «Протон-Электротекс» приступило к серийному производству однопозиционных модулей с максимально допустимым средним током в открытом состоянии до 700 А. В статье отражены основные принципы, применяемые в компании при разработке новых продуктов, а также приведена сравнительная информация по основным параметрам приборов линейки
-
8 Сентября 2020
Статья знакомит с этапами развития и исследованиями, проведенными в процессе проектирования зажимного устройства для СПП в таблеточном исполнении. Описываются трудности, с которыми пришлось столкнуться и методы их решения. Для повышения эргономичности принят ряд технических решений, эффективность которых подтверждена результатами эксплуатации.
-
Установка ударного тока нового поколения
11 Августа 2020
В статье рассматривается уникальная установка ударного тока нового поколения на 120 кА. Подробно представлен принцип формирования тока большой амплитуды на полевых транзисторах, приводятся общее описание и ключевые особенности конструкции силовой части и зажимного устройства.
-
Обзор теплопроводящих интерфейсных материалов для сборки модулей с охладителями
11 Февраля 2020
Разработчики современной преобразовательной техники стремятся к повышению удельной мощности преобразователей. Один из этапов данной работы — это решение задачи по повышению эффективности отведения тепла от силовых полупроводниковых ключей, таких как IGBT модули.
Компания АО «ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС» провела собственное исследование теплопроводящих материалов, результаты которого представлены в данной статье.
