Влияние распределения радиационных дефектов в базе силового диода на его статические и динамические характеристики
4 Декабря 2025
Авторы:
С.И. Матюхин
А.С. Мурко
А.А. Васяев
Д.А. Титушкин
Методами компьютерного моделирования технологических процессов создан цифровой двойник высоковольтного низкочастотного p-i-n-диода D053-7100, выпускаемого АО «Протон-Электротекс» (г. Орёл, Россия). Путём имитационного моделирования этого диода изучена зависимость его статических и динамических характеристик от положения максимума распределения радиационных дефектов, образованных при облучении полупроводниковой структуры диода протонами.
