Статьи
-
Влияние профиля легирования на динамические характеристики силовых низкочастотных диодов
24 Декабря 2024
Методами приборно-технологического компьютерного моделирования изучена зависимость динамических характеристик силовых низкочастотных диодов от технологических режимов и параметров диффузионных процессов при изготовлении.
Рассмотрены параметры обратного восстановления блокирующей способности силовых низкочастотных диодов при разных температурах в зависимости от профиля легирования. Результаты демонстрируют, как различные параметры и режимы диффузионных процессов оказывают влияние на процесс обратного восстановления силового низкочастотного диода.
-
Периодизация процесса обратного восстановления силового p-i-n-диода в цепи с индуктивной нагрузкой
24 Декабря 2024
Путём компьютерного моделирования технологических процессов создан цифровой двойник высоковольтного низкочастотного p-i-n-диода D053-7100, выпускаемого АО «Протон-Электротекс» (г. Орёл, Россия).
Методами имитационного моделирования этого диода изучен процесс его обратного восстановления в цепи с индуктивной нагрузкой. Рассмотрены основные этапы этого процесса, прослежена связь этих этапов с изменениями в распределении инжектированных носителей заряда в базе диод
-
24 Декабря 2024
Методами компьютерного моделирования технологических процессов создан цифровой двойник высоковольтного низкочастотного p-i-n-диода D053-7100, выпускаемого АО «Протон-Электротекс» (г. Орёл, Россия). Путём имитационного моделирования этого диода изучена зависимость его параметров обратного восстановления от силы прямого тока и скорости его спада в цепи с индуктивной нагрузкой.
-
18 Декабря 2024
В данной статье приведён обзор текущей номенклатуры силовых полупроводниковых приборов, выпускаемых компанией АО «Протон-Электротекс, а так же показано развитие силовых тиристоров и диодов в таблеточном и модульном исполнении, обусловленное растущими потребностями мирового рынка полупроводников.
