Зависимость параметров обратного восстановления силового P-I-N диода от силы прямого тока и скорости его спада в цепи с индуктивной нагрузкой
24 Декабря 2024
С.И. Матюхин
А.С. Мурко
А.А. Васяев
Д.А. Титушкин
Методами компьютерного моделирования технологических процессов создан цифровой двойник высоковольтного низкочастотного p-i-n-диода D053-7100, выпускаемого АО «Протон-Электротекс» (г. Орёл, Россия). Путём имитационного моделирования этого диода изучена зависимость его параметров обратного восстановления от силы прямого тока и скорости его спада в цепи с индуктивной нагрузкой.
