MOSFET (SiC) модули
SiC MOSFET модули в промышленном и автомобильном исполнении от производителя.
В данном разделе Вы можете ознакомиться со списком SiC MOSFET модулей производства АО «Протон-Электротекс», их характеристиками, особенностями и преимуществами. Заказать SiC MOSFET модули можно с помощью специальной формы на сайте и в карточках каждого товара.
- UCES [В]
- ICnom [A]
- Технология кристалла
- Конфигурация
- Исполнение
-
Корпус
(ширина/длина) [мм] - Статус прибора
| Наименование прибора |
UCES [В] | ICnom [A] | Технология кристалла | Конфигурация | Исполнение | Корпус (ширина/длина) [мм] | Статус прибора | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| фильтр | фильтр | фильтр | фильтр | фильтр | фильтр | фильтр | |||
MCAR-HB12-I120-PB
Товар добавлен в избранное
|
  | UCES [В]:1200 | ICnom [A]:120 | Технология кристалла:Trench-FS | Конфигурация:SiC MOSFET | Исполнение:Автомобильное |
Корпус (ширина/длина) [мм]:MCAR (37/34) | Статус прибора: Скоро в продаже |
Перейти в корзину
|
|
MCDA-HBI12-I1000N-A
Товар добавлен в избранное
|
  | UCES [В]:1200 | ICnom [A]:1000 | Технология кристалла:Trench-FS | Конфигурация:SiC MOSFET | Исполнение:Транспортное |
Корпус (ширина/длина) [мм]:MCDA (62/152) | Статус прибора: Скоро в продаже |
Перейти в корзину
|
|
MCDA-HBI12-I1000N-C
Товар добавлен в избранное
|
  | UCES [В]:1200 | ICnom [A]:1000 | Технология кристалла:Trench-FS | Конфигурация:SiC MOSFET | Исполнение:Промышленное |
Корпус (ширина/длина) [мм]:MCDA (62/152) | Статус прибора: Скоро в продаже |
Перейти в корзину
|
|
MCDA-HBI12-I500N-A
Товар добавлен в избранное
|
  | UCES [В]:1200 | ICnom [A]:500 | Технология кристалла:Trench-FS | Конфигурация:SiC MOSFET | Исполнение:Транспортное |
Корпус (ширина/длина) [мм]:MCDA (62/152) | Статус прибора: Скоро в продаже |
Перейти в корзину
|
|
MCDA-HBI12-I500N-C
Товар добавлен в избранное
|
  | UCES [В]:1200 | ICnom [A]:500 | Технология кристалла:Trench-FS | Конфигурация:SiC MOSFET | Исполнение:Промышленное |
Корпус (ширина/длина) [мм]:MCDA (62/152) | Статус прибора: Скоро в продаже |
Перейти в корзину
|
|
MCDA-HBS12-I400N-A
Товар добавлен в избранное
|
  | UCES [В]:1200 | ICnom [A]:400 | Технология кристалла:Trench-FS | Конфигурация:SiC MOSFET | Исполнение:Транспортное |
Корпус (ширина/длина) [мм]:MCDA (62/152) | Статус прибора: Скоро в продаже |
Перейти в корзину
|
|
MCDA-HBS12-I400N-C
Товар добавлен в избранное
|
  | UCES [В]:1200 | ICnom [A]:400 | Технология кристалла:Trench-FS | Конфигурация:SiC MOSFET | Исполнение:Промышленное |
Корпус (ширина/длина) [мм]:MCDA (62/152) | Статус прибора: Скоро в продаже |
Перейти в корзину
|
|
MCDA-HBS12-I600N-A
Товар добавлен в избранное
|
  | UCES [В]:1200 | ICnom [A]:600 | Технология кристалла:Trench-FS | Конфигурация:SiC MOSFET | Исполнение:Транспортное |
Корпус (ширина/длина) [мм]:MCDA (62/152) | Статус прибора: Скоро в продаже |
Перейти в корзину
|
|
MCDA-HBS12-I600N-C
Товар добавлен в избранное
|
  | UCES [В]:1200 | ICnom [A]:600 | Технология кристалла:Trench-FS | Конфигурация:SiC MOSFET | Исполнение:Промышленное |
Корпус (ширина/длина) [мм]:MCDA (62/152) | Статус прибора: Скоро в продаже |
Перейти в корзину
|
| Наименование прибора |
[{{f.unit}}] | ||
|---|---|---|---|
| фильтр | |||
{{g.header}}
Товар добавлен в избранное
|
|
[{{f.unit}}] {{g.params[f.id]}} |
Перейти в корзину
|
