MOSFET (SiC) модули
В корзину
Перейти в корзину
MCDA-HBS12-I600N-C
MOSFET (SiC) модули
| UCES [В]: | 1200 |
| ICnom [A]: | 600 |
| Технология кристалла: | Trench-FS |
| Исполнение: | Промышленное |
| Корпус (ширина/длина) [мм]: |
MCDA (62/152) |
| Статус прибора: | Скоро в продаже |
- Документы и сертификаты
- Информационный лист MCDA-HBS12-I600N-C
- Описание
• • SiC MOSFET и SiC SBD
• Низкая индуктивность
• Схема полумост
• Топология переключающих ячеек
• Низкое значение RDS(on)
• Оптимизированные цепи управления
• AlN Подложки
• Медное основание
• Стандартный корпус
• Низкие статические и динамические потери
• Быстрая и чистая коммутация
• Низкое значение Rth(j-c)
• Высокая стойкость к термоциклам
- Где применяются
• Инверторы ВИЭ
• DC/DC преобразователи, инверторы
• Приводы электродвигателей
• Электротранспорт
