MOSFET (SiC) модули

В корзину Перейти в корзину
Товар добавлен в избранное Товар удалён из избранного

MCDA-HBS12-I600N-C

MOSFET (SiC) модули

UCES [В]: 1200
ICnom [A]: 600
Технология кристалла: Trench-FS
Исполнение: Промышленное
Корпус
(ширина/длина) [мм]:
MCDA (62/152)
Статус прибора: Скоро в продаже

Отправить запрос в 1 кликЗадать вопрос

  • Документы и сертификаты
  • Описание

    • • SiC MOSFET и SiC SBD

    • Низкая индуктивность

    • Схема полумост

    • Топология переключающих ячеек

    • Низкое значение RDS(on)

    • Оптимизированные цепи управления

    • AlN Подложки

    • Медное основание

    • Стандартный корпус

    • Низкие статические и динамические потери

    • Быстрая и чистая коммутация

    • Низкое значение Rth(j-c)

    • Высокая стойкость к термоциклам

  • Где применяются

    • Инверторы ВИЭ

    • DC/DC преобразователи, инверторы

    • Приводы электродвигателей

    • Электротранспорт

Вернуться назад

АО «Протон-Электротекс»

Адрес: Россия, 302040, г. Орел, ул. Лескова 19, пом.27, оф. 14

Отправить заявкуОтправить заявку
Задать вопросЗадать вопрос
Оставить отзывОставить отзыв