Современные технические решения в конструкции IGBT модулей высокой мощности
24 Января 2025
С.И. Матюхин
Д.О. Малый
В статье рассмотрены современные подходы к конструированию силовых полупроводниковых модулей. На примере приборов с основанием 140мм и модулей MIXM и MIXV АО «Протон-Электротекс» показано, как конструкция модулей развивалась по пути снижения индуктивности силовых цепей и оптимизации компоновки внешних соединений.
В статье рассмотрены дальнейшие возможные пути развития конструкции IGBT модулей, включающие в себя кардинальную модернизацию структуры теплоотвода, а также использование кристаллов с возможностью контроля температуры и мгновенных значений тока в реальном времени
