Компактная математическая модель процесса переключения силового P-I-N-диода из проводящего состояния в непроводящее в цепи с индуктивной нагрузкой
4 Декабря 2025
Авторы:
С.И. Матюхин
А.С. Мурко
А.А. Васяев
Д.А. Титушкин
Разработана компактная математическая модель процесса переключения силового p-i-nдиода из проводящего состояния в непроводящее в электрической цепи с индуктивной нагрузкой. Проанализирована зависимость коммутационных параметров диода от силы прямого тока и скорости его спада перед переключением. Получены простые, удобные для инженерных расчетов аналитические выражения для коммутационных потерь диода.
