IGBT модули
В корзину
Перейти в корзину
IGBT MISV-SS33EL-1200N
IGBT модули
| UCES [В]: | 3300 |
| ICnom [A]: | 1200 |
| Технология кристалла: | Trench-FS |
| Конфигурация: | Два ключа |
| Исполнение: | Транспортное |
| Корпус (ширина/длина) [мм]: |
MISV (140/130) |
| Статус прибора: | Скоро в продаже |
- Документы и сертификаты
- Информационный лист IGBT MISV-SS33EL-1200N
- Рекомендации по применению Открыть PDF
- 3D модель прибора IGBT MISV-SS33EL-1200N
- Описание
IGBT модуль высокой мощности и повышенным номинальным напряжением изоляции 10.4 кВ
- Низкое значение UCE(sat)
- Быстрое и мягкое восстановление
- Низкое ЭМИ
- AlSiC основание
- AlN DBC подложки
- Ультразвуковая приварка силовых выводов
- Высокое номинальное напряжение изоляции — 10400 В
- Соответствие RoHS
- Где применяются
- Вспомогательные системы питания железнодорожного транспорта
- Вспомогательные системы питания общественного транспорта
- Промышленное оборудование
