IGBT модули
IGBT MISV-SS45SG-1000N
IGBT модули
| UCES [В]: | 4500 |
| ICnom [A]: | 1000 |
| Технология кристалла: | Trench-FS |
| Конфигурация: | Два ключа |
| Исполнение: | Транспортное |
| Корпус (ширина/длина) [мм]: |
MISV (140/130) |
| Подтверждение производства на территории РФ (719ПП): | Внесен в реестр |
- Документы и сертификаты
- Информационный лист IGBT MISV-SS45SG-1000N
- Рекомендации по применению Открыть PDF
- STEP модель прибора IGBT MISV-SS45SG-1000N
- Описание
Тяговый IGBT модуль MISV-SS45SG-1000N производства АО «Протон-Электротекс» — высокомощный полупроводниковый прибор для коммутации больших токов в высоковольтных тяговых и промышленных преобразователях. Блокирующее напряжение 4500 В, номинальный ток 1000 А, конфигурация — один ключ (Single Switch) с антипараллельным диодом.
Модуль выполнен в корпусе MISV (140 × 130 мм) — компактном высокомощном форм-факторе с повышенным номинальным напряжением изоляции 10400 В. Это критически важное преимущество для применений в высоковольтных цепях (класс 4,5 кВ), где требования к диэлектрической прочности максимальны. Корпус MISV сочетает высокий класс изоляции с компактными габаритами 140 × 130 мм — меньше, чем у аналогов в корпусе IHV (140 × 190 мм).
Применение AlSiC-основания и AlN DBC-подложек обеспечивает эффективный отвод тепла и высокую термоциклостойкость, что критически важно для транспортных применений с тяжёлыми температурными режимами.
Технология кристалла Trench-FS гарантирует низкие статические и динамические потери.
Ключевые особенности:
- высокое номинальное напряжение изоляции — 10400 В;
- компактный корпус 140 × 130 мм при классе напряжения 4500 В;
- низкое значение UCE(sat)UCE(sat);
- быстрое и мягкое восстановление диодов;
- низкий уровень электромагнитных помех;
- AlSiC-основание для повышенной термоциклостойкости;
- AlN DBC-подложки с высокой теплопроводностью;
- ультразвуковая приварка силовых выводов;
- соответствие RoHS.
Модуль MISV-SS45SG-1000N является функциональным аналогом IGBT-модулей: Infineon FZ1000R45KL3_B5 / FZ1000R45KL3B5NOSA1 (IHV, 4500 В, 1000 А, single switch, AlSiC, изоляция 10,4 кВ — точное совпадение по параметрам и габаритам 140 × 130 мм), Mitsubishi CM1000HA-50H (H-series, 4500 В, 1000 А, single switch), Hitachi MBN1000FH45F (4500 В, 1000 А, single switch), ABB 5SNA 1000G450300 (HiPak, 4500 В, 1000 А, изоляция 6 кВ). Ближайшие по току: Mitsubishi CM1200HC-50H (4500 В, 1200 А), CRRC TIM1200ASM45-PSA011 (4500 В, 1200 А).
Производство сертифицировано по стандартам ISO 9001, ISO 14001, EcoVadis. АО «Протон-Электротекс» предлагает возможности кастомизации продукции под индивидуальные требования заказчика.
- Где применяются
IGBT модуль MISV-SS45SG-1000N предназначен для коммутации мощных нагрузок в составе высоковольтных преобразователей и приводов с повышенными требованиями к электрической изоляции.
Основные сферы применения:
- вспомогательные системы питания железнодорожного транспорта;
- вспомогательные системы питания общественного транспорта;
- приводы двигателей переменного и постоянного тока (тяговый привод электровозов, электропоездов, карьерной техники);
- преобразователи высокой мощности;
- инверторы ветрогенераторов (сегмент больших мощностей);
- промышленное оборудование высокой мощности;
- системы накопления и распределения энергии.
