Полупроводниковые элементы
Диодный элемент DR40-1000-26
Полупроводниковые элементы
| Диаметр элемента [мм]: |
40 |
| IFAV/ITAV (Tc,°С) [A]: | 1000 |
| UDRM/ URRM [В]: | 2600 |
| Tjmax [°С]: | 175 |
- Документы и сертификаты
- Описание
Чип диода диаметром 40мм производства АО «Протон-Электротекс». Полупроводниковый элемент обладает высокой стойкостью к электротермоциклированию, низкими статическими и динамическими потерями. Элемент оптимизирован для различных исполнений корпусирования.
Процесс производства полупроводниковых элементов включает в себя шлифовку пластин, литографию, сплавление, напыление, шлифовку и струйное травление фаски.
Каждый полупроводниковый элемент проходит измерение для определения статических и динамических параметров во всем диапазоне рабочих температур приборов.
Разработанные элементы соответствуют общепринятым мировым стандартам качества. По запросу клиента «Протон-Электротекс» готов подобрать оптимальный полупроводниковый элемент для заданных режимов работы.
- Где применяются
В составе диода применяется в выпрямительных мостах, тяговых преобразователях, электроприводе и инверторах.
-
Дополнительная информация
Для сохранения характеристик чипы должны храниться в азоте или вакууме, чтобы избежать изменения параметров из-за окисления и влажности молибденовых пластин.
Соблюдайте чистоту поверхности чипа – используйте перчатки, не касайтесь чипа голыми руками.
Аккуратно обращайтесь с чипом во время монтажа – не повреждайте края покрытия, а также алюминиевый слой в области катода.При тестировании и корпусировании следите за:
- Параллельностью, плоскостностью и усилием зажима – они должны соответствовать стандартам.
- Неравномерное давление может привести к повреждению чипа.
- Слишком сильное зажимное усилие повредит чип, а слишком слабое ухудшит контакт и теплоотвод.При возникновении вопросов, просим обратиться к нам за дополнительной информацией.
