Уточнение параметров тиристоров и диодов
20 Декабря 2011
Вниманию потребителей!
Уточнение в спецификациях.
Сообщаем, что с 20.11.2011 внесены изменения по уточнению параметров в следующих типах cиловых полупроводниковых приборов:
| наименование изделия | прежнее значение | новое значение |
| Т353-1600-18 | IGT=250мА при Tj=25⁰C, IGT=400мА при Tj=-60⁰C V1.4 | IGT=300мА при Tj=25⁰C, IGT=500мА при Tj=-60⁰C V1.5 |
| Т253-1390-24 | IGT=250мА при Tj=25⁰C, IGT=400мА при Tj=-60⁰C V1.5 | IGT=300мА при Tj=25⁰C, IGT=500мА при Tj=-60⁰C V1.6 |
| ДЧ261-250-16 | UFM=2.1В, корпус D.SA1 V1.3 | UFM=2.2В, корпус D.SA2 V1.4 |
| ДЧ261-320-14 | корпус D.SA1 V1.2 | корпус D.SA2 V1.3 |
