IGBT модули
IGBT модули в промышленном исполнении на средние частоты от производителя в России.
В данном разделе Вы можете ознакомиться со списком IGBT модулей производства АО «Протон-Электротекс», их характеристиками, особенностями и преимуществами. Заказать IGBT модули можно с помощью специальной формы на сайте и в карточках каждого товара.
Об особенностях производства IGBT модулей можно ознакомиться в соответствующем разделе.
- UCES [В]
- ICnom [A]
- Технология кристалла
- Конфигурация
- Исполнение
- Корпус
(ширина/длина) [мм] - Статус прибора
Наименование прибора | UCES [В] | ICnom [A] | Технология кристалла | Конфигурация | Исполнение | Корпус (ширина/длина) [мм] | Статус прибора | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
фильтр | фильтр | фильтр | фильтр | фильтр | фильтр | фильтр | |||
IGBT MIAA-HB12SA-300N ![]() | ![]() ![]() | UCES [В] 1200 | ICnom [A] 300 | Технология кристалла Trench-FS | Конфигурация Полумост | Исполнение Промышленное | Корпус (ширина/длина) [мм] MIAA (61.4/106.4) | Статус прибора Действующий | |
IGBT MIAA-HB12SA-450N ![]() | ![]() ![]() | UCES [В] 1200 | ICnom [A] 450 | Технология кристалла Trench-FS | Конфигурация Полумост | Исполнение Промышленное | Корпус (ширина/длина) [мм] MIAA (61.4/106.4) | Статус прибора Действующий | |
IGBT MIAA-HB12SM-300N ![]() | ![]() ![]() | UCES [В] 1200 | ICnom [A] 300 | Технология кристалла Trench-FS | Конфигурация Полумост | Исполнение Промышленное | Корпус (ширина/длина) [мм] MIAA (61.4/106.4) | Статус прибора Скоро в продаже | |
IGBT MIAA-HB12SM-450N ![]() | ![]() ![]() | UCES [В] 1200 | ICnom [A] 450 | Технология кристалла Trench-FS | Конфигурация Полумост | Исполнение Промышленное | Корпус (ширина/длина) [мм] MIAA (61.4/106.4) | Статус прибора Скоро в продаже | |
IGBT MIAA-HB17SA-150N ![]() | ![]() ![]() | UCES [В] 1700 | ICnom [A] 150 | Технология кристалла Trench-FS | Конфигурация Полумост | Исполнение Промышленное | Корпус (ширина/длина) [мм] MIAA (61.4/106.4) | Статус прибора Действующий | |
IGBT MIAA-HB17SA-200N ![]() | ![]() ![]() | UCES [В] 1700 | ICnom [A] 200 | Технология кристалла Trench-FS | Конфигурация Полумост | Исполнение Промышленное | Корпус (ширина/длина) [мм] MIAA (61.4/106.4) | Статус прибора Действующий | |
IGBT MIAA-HB17SA-300N ![]() | ![]() ![]() | UCES [В] 1700 | ICnom [A] 300 | Технология кристалла Trench-FS | Конфигурация Полумост | Исполнение Промышленное | Корпус (ширина/длина) [мм] MIAA (61.4/106.4) | Статус прибора Действующий | |
IGBT MIAA-HB17SM-300N ![]() | ![]() ![]() | UCES [В] 1700 | ICnom [A] 300 | Технология кристалла Trench-FS | Конфигурация Полумост | Исполнение Промышленное | Корпус (ширина/длина) [мм] MIAA (61.4/106.4) | Статус прибора Действующий | |
IGBT MIDA-HB12SA-450N ![]() | ![]() ![]() | UCES [В] 1200 | ICnom [A] 450 | Технология кристалла Trench-FS | Конфигурация Полумост | Исполнение Промышленное | Корпус (ширина/длина) [мм] MIDA (62/152) | Статус прибора Скоро в продаже | |
IGBT MIDA-HB12SG-600N ![]() | ![]() ![]() | UCES [В] 1200 | ICnom [A] 600 | Технология кристалла Trench-FS | Конфигурация Полумост | Исполнение Промышленное | Корпус (ширина/длина) [мм] MIDA (62/152) | Статус прибора Скоро в продаже | |
IGBT MIDA-HB12SM-300N ![]() | ![]() ![]() | UCES [В] 1200 | ICnom [A] 300 | Технология кристалла Trench-FS | Конфигурация Полумост | Исполнение Промышленное | Корпус (ширина/длина) [мм] MIDA (62/152) | Статус прибора Скоро в продаже | |
IGBT MIDA-HB12SM-450N ![]() | ![]() ![]() | UCES [В] 1200 | ICnom [A] 450 | Технология кристалла Trench-FS | Конфигурация Полумост | Исполнение Промышленное | Корпус (ширина/длина) [мм] MIDA (62/152) | Статус прибора Скоро в продаже | |
IGBT MIDA-HB12SM-600N ![]() | ![]() ![]() | UCES [В] 1200 | ICnom [A] 600 | Технология кристалла Trench-FS | Конфигурация Полумост | Исполнение Промышленное | Корпус (ширина/длина) [мм] MIDA (62/152) | Статус прибора Скоро в продаже | |
IGBT MIDA-HB17SA-450N ![]() | ![]() ![]() | UCES [В] 1700 | ICnom [A] 450 | Технология кристалла Trench-FS | Конфигурация Полумост | Исполнение Промышленное | Корпус (ширина/длина) [мм] MIDA (62/152) | Статус прибора Действующий | |
IGBT MIDA-HB17SG-450N ![]() | ![]() ![]() | UCES [В] 1700 | ICnom [A] 450 | Технология кристалла Trench-FS | Конфигурация Полумост | Исполнение Промышленное | Корпус (ширина/длина) [мм] MIDA (62/152) | Статус прибора Скоро в продаже | |
IGBT MIDA-HB17SG-600N ![]() | ![]() ![]() | UCES [В] 1700 | ICnom [A] 600 | Технология кристалла Trench-FS | Конфигурация Полумост | Исполнение Промышленное | Корпус (ширина/длина) [мм] MIDA (62/152) | Статус прибора Скоро в продаже | |
IGBT MIDA-HB17SM-450N ![]() | ![]() ![]() | UCES [В] 1700 | ICnom [A] 450 | Технология кристалла Trench-FS | Конфигурация Полумост | Исполнение Промышленное | Корпус (ширина/длина) [мм] MIDA (62/152) | Статус прибора Скоро в продаже | |
IGBT MIDA-HB17SM-600N ![]() | ![]() ![]() | UCES [В] 1700 | ICnom [A] 600 | Технология кристалла Trench-FS | Конфигурация Полумост | Исполнение Промышленное | Корпус (ширина/длина) [мм] MIDA (62/152) | Статус прибора Скоро в продаже | |
IGBT MIFA-HB12SA-100N ![]() | ![]() ![]() | UCES [В] 1200 | ICnom [A] 100 | Технология кристалла Trench-FS | Конфигурация Полумост | Исполнение Промышленное | Корпус (ширина/длина) [мм] MIFA (34/94) | Статус прибора Действующий | |
IGBT MIFA-HB12SA-150N ![]() | ![]() ![]() | UCES [В] 1200 | ICnom [A] 150 | Технология кристалла Trench-FS | Конфигурация Полумост | Исполнение Промышленное | Корпус (ширина/длина) [мм] MIFA (34/94) | Статус прибора Действующий |
Пример маркировки:
MIAA | - | HB | 12 | FA | - | 200 | N |
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
1.Исполнение:
MIAA – корпус 62 мм
MIFA – корпус 34 мм
MIDA - корпус 62 мм
MIHA - корпус 62 мм
MIHM - корпус 140 мм
MISM - корпус 140 мм
MIHV - корпус 140 мм
2. Схема включения:
HB – полумост
HC – верхний чоппер
LC – нижний чоппер
DS - 2 ключа
SS - 1 ключ
3. Класс модуля по максимально допустимому напряжению коллектор-эмиттер:
12 – 1200 (В); 17 – 1700 (В)
4. Модификация чипов IGBT, включая технологию изготовления кристаллов
5. Номинальный ток модуля
6. Климатическое исполнение
Технологическая линия производства IGBT модулей
Рекомендации по применению IGBT модулей производства АО "Протон-Электротекс"